SUNTSU晶振,高精度石英晶振,SWS212晶體.貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).
在2008年,我們將目光投向了精確時間模塊,并推出了3款GPS紀(jì)律的OCXO.其中之一,打破了工業(yè)界的第一個“板上安裝的單位”.今天,松圖無源晶振能夠滿足最基本的最嚴(yán)格的頻率控制要求.我們的月產(chǎn)能在過去幾年中大幅增長,截至2009年,我們每個月可以支持3千3百萬個組件.
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SUNTSU晶振 |
單位 |
SWS212晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃~+125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40℃~+85℃ |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推薦:10μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±20ppm |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.yaohuifushi.cn/
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頻率溫度特征 |
f_tem |
30 × 10-6,±50 × 10-6 |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
12.5pF |
不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用32.768K晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.
自動安裝時的沖擊
石英晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品.請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保石英2.0x1.2晶振產(chǎn)品未撞擊機器或其他電路板等.
輸出負(fù)載
建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間).
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時,當(dāng)P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.


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