ILSI晶振,高性能石英晶體,IL3T進口晶振

產(chǎn)品簡介

普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

產(chǎn)品詳情

ILSI晶振,高性能石英晶體,IL3T進口晶振.32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

IILSI進口晶振總部位于內(nèi)華達州里諾,在加利福尼亞州南部設(shè)有辦事處,該公司被認為是靈活而響應(yīng)迅速的提供交鑰匙供應(yīng)鏈管理解決方案,編程的組織服務(wù)和工程支持.

晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使耐高溫晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一

ILSI晶振	單位	IL3T晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40℃~+85℃	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	1.0μW Max.	推薦:10μW
頻率公差	f_— l	±20ppm	+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.yaohuifushi.cn/
頻率溫度特征	f_tem	30 × 10-6，±50 × 10-6	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	12.5pF	不同負載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

IL3T 2012

負載電容

振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容).

晶體振蕩器和實時時鐘模塊

所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致有源晶體無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.低功耗晶振的軟焊溫度條件被設(shè)計成可以和普通電子零部件同時作業(yè),但如果是超過規(guī)格以上的高溫,則頻率有可能發(fā)生較大的變化,因此請避免不必要的高溫度.高精度石英晶振產(chǎn)品的回流焊焊接溫度描述,請參照“表面貼裝型晶體產(chǎn)品的回流焊焊接溫度描述”.

撞擊

雖然石英晶體諧振器產(chǎn)品在設(shè)計階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性,但如果掉到地板上或者受到過度的撞擊,以防萬一還是要檢查特性后再使用.

保管

保管在高溫多濕的場所可能會導(dǎo)致端子軟焊性的老化.請在沒有直射陽光,不發(fā)生結(jié)露的場所保管.

裝載

SMD晶體產(chǎn)品支持自動貼裝,但還是請預(yù)先基于所使用的搭載機實施搭載測試,確認其對特性沒有影響.在切斷工序等會導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中,請注意避免翹曲影響到32.768K晶振產(chǎn)品的特性以及軟焊.基于超聲波焊接的貼裝以及加工會使得貼片石英晶體產(chǎn)品(諧振器、振蕩器、濾波器)內(nèi)部傳播過大的振動,有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使用.