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TAITIEN晶振,貼片晶振,XV晶振,XVFBGCNANF-12.000000晶振

頻率:8~80MHZ

尺寸:5.0×3.2×0.8mm

小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型車載晶振,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.
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泰藝晶振電子立基臺灣,在美國與中國大陸均設有生產據點,營業與銷售據點包括臺灣臺北、美國、歐洲以及中國大陸等地,客戶使用石英晶體振蕩器,有源晶振,網絡設備晶振、壓控振蕩器,貼片晶振遍及汽車產業、消費性電子、信息產業、通信產業與通信基礎產業。泰藝晶振電子多年來致力于研發創新,部分核心技術是臺灣業界的領先者,近年來陸續取得石英相關制造技術專利;未來將持續加強開發,以成為全球石英晶振頻控元件領導者之目標邁進。

TAITIEN晶振,貼片晶振,XV晶振,XVFBGCNANF-12.000000晶振,低頻晶振可從7.98MHz起對應,小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優良的耐環境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.

晶振的真空封裝技術:是指壓電石英晶振在真空封裝區域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使晶振組件在真空下電阻減??;3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一

泰藝晶振規格

單位

XV貼片晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

8MHZ~80.0MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C +85°C

標準溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標準),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.yaohuifushi.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

超出標準說明,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C—+85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

12MHZ貼片晶振,XV晶振,XVFBGCNANF-12.000000晶振

以下是石英晶振電路設計匹配問題:

一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:

鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組。 (請參閱芯片組的規格)

Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內置芯片一般設置。

Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。

一個穩定的石英晶體振蕩器電路需要的負電阻,其值應是晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。

例如,為了獲得穩定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負電阻(-R)以下說明:

線路連接的電阻(R)與晶體串聯

(2)從起點到振蕩的停止點調整R的值。

(3)振蕩期間測量R的值。

(4)你將能夠獲得負電阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。

附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值。TAITIEN晶振,貼片晶振,XV晶振,XVFBGCNANF-12.000000晶振

12MHZ貼片晶振,XV晶振,XVFBGCNANF-12.000000晶振

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