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Si514,514GBB000118AAG,156.25MHZ,7050mm,Silicon小封裝振蕩器

頻率：156.25MHZ

尺寸：7.0×5.0mm

Si514,514GBB000118AAG,156.25MHZ,7050mm,Silicon小封裝振蕩器,美國Silicon晶振,歐美有源晶振,六腳有源晶振,156.25MHZ晶體振蕩器,Si514晶振,7050mm振蕩器,XO振蕩器,OSC晶振,有源晶體振蕩器,尺寸7050mm,頻率156.25MHZ,電壓2.5V,低電壓晶振,低功耗晶振,低相位晶振,數據通信晶振,工業自動化晶振,測試設備晶振,數字設備晶振,通信模塊晶振,物聯網晶振.

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Si514,514GBB000118AAG,156.25MHZ,7050mm,Silicon小封裝振蕩器,美國Silicon晶振,歐美有源晶振,六腳有源晶振,156.25MHZ晶體振蕩器,Si514晶振,7050mm振蕩器,XO振蕩器,OSC晶振,有源晶體振蕩器,尺寸7050mm,頻率156.25MHZ,電壓2.5V,低電壓晶振,低功耗晶振,低相位晶振,數據通信晶振,工業自動化晶振,測試設備晶振,數字設備晶振,通信模塊晶振,物聯網晶振.

Si514,514GBB000118AAG,156.25MHZ,7050mm,Silicon小封裝振蕩器特點:

可編程到任何頻率從100kHz到250MHz

00.026 ppb頻率調諧決議

OOE上的閃光抑制，電源on和頻率轉換

低抖動操作，2到4周的交付周期,總體穩定性包括10年變老

綜合生產試驗，覆蓋范圍包括晶體ESR和DLD

用于電源的片上LDO噪聲濾波

3.3、2.5或1.8 V操作，差分（LVPECL、LVDS、HCSL）或CMOS輸出選項

可選集成1:2 CMOS扇出緩存有源晶振

行業標準5x7、3.2x5和2.5x3.2 mm包裝,–40至85℃操作

2

Si514,514GBB000118AAG,156.25MHZ,7050mm,Silicon小封裝振蕩器      參數表

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Units
Supply Voltage V DD 3.3 V option 2.97 3.3 3.63 V
2.5 V option 2.25 2.5 2.75 V
1.8 V option 1.71 1.8 1.89 V
Supply Current IDD CMOS, 100 MHz,
single-ended 		— 21 26 mA
LVDS
(output enabled) 		— 19 23 mA
LVPECL
(output enabled) 		— 39 43 mA
HCSL
(output enabled) 		— 41 44 mA
Tristate
(output disabled) 		— — 18 mA
Operating Temperature TA –40 — 85 oC
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Units
SDA, SCL Input Voltage High VIH 0.80 x V DD — — V
SDA, SCL Input Voltage Low VIL — — 0.20 x V DD V
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Units
Programmable
Frequency Range 		FO CMOS, Dual CMOS 0.1 — 212.5 MHz
FO LVDS/LVPECL/HCSL 0.1 — 250 MHz
Frequency
Reprogramming
Resolution 		M RES — 0.026 — ppb
Frequency Range for
Small Frequency Change
(Continuous Glitchless
Output) 		From center frequency –1000 — +1000 ppm
Settling time for Small
Frequency Change 		<±1000 ppm from
center frequency 		— — 100 µs
Settling time for Large
Frequency Change (Out-
put Squelched during Fre-
quency Transition) 		>±1000 ppm from
center frequency 		— — 10 ms
Total Stability* Frequency Stability Grade C –30 — +30 ppm
Frequency Stability Grade B –50 — +50 ppm
Frequency Stability Grade A –100 — +100 ppm
Temperature Stability Frequency Stability Grade C –20 — +20 ppm
Frequency Stability Grade B –25 — +25 ppm
Frequency Stability Grade A –50 — +50 ppm
Startup Time TSU Minimum V DD until output
frequency (FO) within specification 		— — 10 ms
Disable Time TD FO< 10 MHz — — 40 µs
FO> 10 MHz — — 5 µs
Enable Time TE FO< 10 MHz — — 60 µs
FO> 10 MHz — — 20 µs
3

Si514,514GBB000118AAG,156.25MHZ,7050mm,Silicon小封裝振蕩器       尺寸圖 

Si514 7050

Si514 1

Si514 2

Si514 3

原廠代碼 品牌 型號 頻率 電壓 頻率穩定度
530AC312M500DG Silicon振蕩器 Si530 312.5MHz 3.3V ±7ppm
530EC250M000DG Silicon振蕩器 Si530 250MHz 2.5V ±7ppm
530AC250M000DG Silicon振蕩器 Si530 250MHz 3.3V ±7ppm
530FC250M000DG Silicon振蕩器 Si530 250MHz 2.5V ±7ppm
530BC312M500DG Silicon振蕩器 Si530 312.5MHz 3.3V ±7ppm
530FC50M0000DG Silicon振蕩器 Si530 50MHz 2.5V ±7ppm
530AA156M250DG Silicon振蕩器 Si530 156.25MHz 3.3V ±50ppm
530FB100M000DG Silicon振蕩器 Si530 100MHz 2.5V ±20ppm
530BC125M000DG Silicon振蕩器 Si530 125MHz 3.3V ±7ppm
530EC125M000DG Silicon振蕩器 Si530 125MHz 2.5V ±7ppm
591BB300M000DG Silicon振蕩器 Si591 300MHz 3.3V ±25ppm
530CA28M6000DG Silicon振蕩器 Si530 28.6MHz 3.3V ±50ppm
530AC125M000DGR Silicon振蕩器 Si530 125MHz 3.3V ±7ppm
530BC125M000DGR Silicon振蕩器 Si530 125MHz 3.3V ±7ppm
530EC125M000DGR Silicon振蕩器 Si530 125MHz 2.5V ±7ppm
530AC106M250DGR Silicon振蕩器 Si530 106.25MHz 3.3V ±7ppm
530BC106M250DGR Silicon振蕩器 Si530 106.25MHz 3.3V ±7ppm
530EC106M250DGR Silicon振蕩器 Si530 106.25MHz 2.5V ±7ppm
530FC106M250DGR Silicon振蕩器 Si530 106.25MHz 2.5V ±7ppm
530BC25M0000DGR Silicon振蕩器 Si530 25MHz 3.3V ±7ppm
514GBB000118AAG Silicon振蕩器 Si514 156.25MHz 2.5V ±25ppm
530RB150M000DG Silicon振蕩器 Si530 150MHz 2.5V ±20ppm
530RB200M000DG Silicon振蕩器 Si530 200MHz 2.5V ±20ppm
530BC100M000DG Silicon振蕩器 Si530 100MHz 3.3V ±20ppm
530AC155M520DGR Silicon振蕩器 Si530 155.52MHz 3.3V ±7ppm
530AC156M250DGR Silicon振蕩器 Si530 156.25MHz 3.3V ±7ppm
530BC155M520DGR Silicon振蕩器 Si530 155.52MHz 3.3V ±7ppm
530BC156M250DGR Silicon振蕩器 Si530 156.25MHz 3.3V ±7ppm
530EC155M520DGR Silicon振蕩器 Si530 155.52MHz 2.5V ±7ppm
530EC156M250DGR Silicon振蕩器 Si530 156.25MHz 2.5V ±7ppm
530FC155M520DGR Silicon振蕩器 Si530 155.52MHz 2.5V ±7ppm
530FC156M250DGR Silicon振蕩器 Si530 156.25MHz 2.5V ±7ppm
530AC187M500DGR Silicon振蕩器 Si530 187.5MHz 3.3V ±7ppm
530BC187M500DGR Silicon振蕩器 Si530 187.5MHz 3.3V ±7ppm
530EC187M500DGR Silicon振蕩器 Si530 187.5MHz 2.5V ±7ppm
530FC187M500DGR Silicon振蕩器 Si530 187.5MHz 2.5V ±7ppm
530AC000110DGR Silicon振蕩器 Si530 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
530AC148M500DGR Silicon振蕩器 Si530 148.5MHz 3.3V ±7ppm
530AC200M000DGR Silicon振蕩器 Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
530BC000110DGR Silicon振蕩器 Si530 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
530BC148M500DGR Silicon振蕩器 Si530 148.5MHz 3.3V ±7ppm
530BC200M000DGR Silicon振蕩器 Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
530EC000110DGR Silicon振蕩器 Si530 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
530EC148M500DGR Silicon振蕩器 Si530 148.5MHz 2.5V ±7ppm
530EC200M000DGR Silicon振蕩器 Si530 200MHz 2.5V ±7ppm
530FC000110DGR Silicon振蕩器 Si530 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
530FC148M500DGR Silicon振蕩器 Si530 148.5MHz 2.5V ±7ppm
530BC130M250DG Silicon振蕩器 Si530 130.25MHz 3.3V ±7ppm
530BC154M000DG Silicon振蕩器 Si530 154MHz 3.3V ±7ppm
530AC312M500DGR Silicon振蕩器 Si530 312.5MHz 3.3V ±7ppm
530BC312M500DGR Silicon振蕩器 Si530 312.5MHz 3.3V ±7ppm
530EC312M500DGR Silicon振蕩器 Si530 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530FC312M500DGR Silicon振蕩器 Si530 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530AC250M000DGR Silicon振蕩器 Si530 250MHz 3.3V ±7ppm
530AC311M040DGR Silicon晶振 Si530 311.04MHz 3.3V ±7ppm
530AC622M080DGR Silicon振蕩器 Si530 622.08MHz 3.3V ±7ppm
530BC250M000DGR Silicon振蕩器 Si530 250MHz 3.3V ±7ppm
530BC311M040DGR Silicon振蕩器 Si530 311.04MHz 3.3V ±7ppm
530BC622M080DGR Silicon振蕩器 Si530 622.08MHz 3.3V ±7ppm
530EC250M000DGR Silicon振蕩器 Si530 250MHz 2.5V ±7ppm
530EC311M040DGR Silicon振蕩器 Si530 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530EC622M080DGR Silicon振蕩器 Si530 622.08MHz 2.5V ±7ppm
530FC250M000DGR Silicon振蕩器 Si530 250MHz 2.5V ±7ppm
530FC311M040DGR Silicon振蕩器 Si530 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530FC622M080DGR Silicon振蕩器 Si530 622.08MHz 2.5V ±7ppm
530CA40M0000BG Silicon振蕩器 Si530 40MHz 3.3V ±50ppm

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