86-0755-27838351
頻率:1.000MHz~77.760MHz
尺寸:5.0*3.2*1.4mm
ILSI晶振,壓控晶體振蕩器,I603石英晶振.壓控晶振(VCXO)壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60MHz到200MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動(dòng),三態(tài)功能,應(yīng)用:SDH/SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用,符合RoHS/無鉛.
ILSI America LLC提供廣泛的頻率控制產(chǎn)品,ILSI晶振的主要業(yè)務(wù)是開發(fā)和供應(yīng)基于5032貼片晶振或壓電晶體的產(chǎn)品,其中包括晶體振蕩器以及各種封裝類型的石英或壓電晶體。.我們的晶體振蕩器套件包括我們的時(shí)鐘振蕩器,MEMS振蕩器,VCXO,TCXO,TCVCXO和OCXO產(chǎn)品.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英耐高溫晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定.
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ILSI晶振 |
I603晶振 |
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輸出類型 |
TTL/HC-MOS |
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輸出負(fù)載 |
15pF |
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振蕩模式 |
基本/第三泛音 |
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電源電壓 |
+2.5V、+3.3V、5.0V |
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頻率范圍 |
1.00MHz~77.76MHz |
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頻率穩(wěn)定度 |
±50ppm、±100ppm、±150ppm |
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工作溫度 |
0℃~+70℃ -40℃~+85℃ |
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保存溫度 |
-55℃~+125℃ |
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電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
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啟動(dòng)時(shí)間 |
5 ms Max |
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相位抖動(dòng)(12兆赫~20兆赫) |
1個(gè)PS最大 |
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老化率 |
±3 ppm /年最大 |
噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象.
陶瓷包裝產(chǎn)品
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷振蕩器產(chǎn)品時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性.
陶瓷封裝產(chǎn)品
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接壓電陶瓷諧振器產(chǎn)品時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性.
柱面式產(chǎn)品
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用石英晶體振蕩器.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.
產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會(huì)導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開裂),也可能導(dǎo)致氣密性和5032進(jìn)口晶振產(chǎn)品特性受到破壞.當(dāng)石英水晶振動(dòng)子產(chǎn)品的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場(chǎng)景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂.當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請(qǐng)勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正.在該密封部分上施加一定壓力,會(huì)導(dǎo)致氣密性受到損壞.所以在此處請(qǐng)不要施加壓力.另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用進(jìn)口石英SMD晶振.這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障.請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生.
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