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MERCURY晶振,有源晶振,HB53晶振

頻率：1.0~166.0MHZ

尺寸：5.0*3.2mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線(xiàn)通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

訂購(gòu)熱線(xiàn)：86-0755-27838351

MERCURY晶振電子實(shí)業(yè)有限公司成立于40多年前，1973年成為臺(tái)灣首家晶振頻率控制進(jìn)口晶振產(chǎn)品制造商。作為水晶行業(yè)的先驅(qū)，美科利通過(guò)研發(fā)許多新型尖端產(chǎn)品，不斷滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。這些高精度產(chǎn)品中的許多都符合非常嚴(yán)格和精確的規(guī)格，并且它們也可用于微型表面貼裝封裝。頻率范圍從低KHz到800MHz。

美科利電子工業(yè)股份有限公司---臺(tái)灣臺(tái)北•成立于1973年，自豪地成為臺(tái)灣晶體工業(yè)的先驅(qū)。•公司總部和批量生產(chǎn)設(shè)施。• 通過(guò)ISO 9001：2008認(rèn)證。質(zhì)量管理體系• ISO 14001：2004認(rèn)證環(huán)境管理體系•銷(xiāo)售區(qū)域：亞洲，中東，非洲和歐洲. 質(zhì)量在美科利是首屈一指的，確保每批5032晶振產(chǎn)品都能滿(mǎn)足從空間技術(shù)，電信到消費(fèi)電子產(chǎn)品等各種應(yīng)用所需的標(biāo)準(zhǔn)。水星致力于保持高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)通過(guò)不斷改進(jìn)他們的制造技術(shù)并保持他們的新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。

MERCURY晶振,有源晶振,HB53晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

石英晶振曲率半徑加工技術(shù)：石英晶體振蕩器晶片在球筒倒邊加工時(shí)應(yīng)用到的加工技術(shù)，主要是研究滿(mǎn)足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計(jì)可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(jì)（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均勻磨量；c、球面加工曲率半徑的配合）2、在加工時(shí)球面測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)原則（曲率半徑公式的計(jì)算）。

項(xiàng)目	符號(hào)	HB53晶振(LVCMOS)規(guī)格	條件
輸出頻率范圍	f0	1.0~166.0MHZ	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	VCC	2.5V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -10℃ to +70℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料 http://www.yaohuifushi.cn
		H: -40℃ to +85℃

頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	VOH	VCC-0.4V Min.
輸出電壓	VOL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	VIH	80% VCC Max.	ST 終端
輸入電壓	VIL	20 % VCC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

HB53 5032

負(fù)載電容與阻抗設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值。當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿(mǎn)足時(shí)，指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問(wèn)題例如：失真的輸出波形。特別是設(shè)置電抗，根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗。輸出頻率和輸出電平，當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平，無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)振蕩器調(diào)整的輸入阻抗，測(cè)量?jī)x器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器。當(dāng)輸入阻抗的測(cè)量?jī)x器，不同的負(fù)載阻抗的，測(cè)量輸出頻率或輸出水平高，阻抗阻抗測(cè)量可以忽略。MERCURY晶振,有源晶振,HB53晶振

電處理：將電源連接到指定的終端，確定正確的極性這目錄所示。注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振，假如損壞那將不會(huì)工作。此外如果外接電源電壓高于的規(guī)定電壓值，就很可能會(huì)導(dǎo)致低功耗晶振產(chǎn)品損壞。所以外接電壓很重要，一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩，但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì)不起振，或者起不到最佳精度。

當(dāng)發(fā)生外置撞擊時(shí)，任何在遭到外部撞擊時(shí)，或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí)，強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致有源貼片晶振損壞，或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象,不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器。如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn)。

貼片有源振蕩器 5032mm進(jìn)口晶振 HB53晶振

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