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富士晶振,音叉表晶,HCM49S晶振

頻率:3.579MHz~85.000MHz

尺寸:13.5*4.8*4.5mm

普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產品本身具有高穩定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產品應用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
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富士晶振,音叉表晶,HCM49S晶振.智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體諧振器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優良的電氣特性,耐環境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的進口貼片晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內.

1994年3月與韓國SUNNY ELECTRONICS CORP,山梨縣電波株式會社,Sunlead有限公司簽訂合同,擴大晶體器件的銷售模式.1998年4月引入了網絡分析儀,示波器和其他檢查設備以提高質量.1998年11月美國Transko Electronics,Inc. 與之簽訂了購銷合同.2000年7月臺灣揚泰電子股份有限公司 與Fujicom晶振品牌簽約銷售.2001年1月推出自動晶體振蕩器檢查裝置.2005年8月傳輸方式介紹了自動晶體振蕩器檢查裝置.2008年6月與KEC簽訂合同,在日本銷售KEC半導體.十月在東京商業峰會上展出.開始銷售LED照明.十二月開始銷售高壓薄膜電容器.

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富士晶振

單位

HCM49S晶振

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

3.579MHz~85.000MHz

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-55℃~+125

裸存

工作溫度

T_use

-40℃~+85℃

標準溫度

激勵功率

DL

1.0μW Max.

推薦:10μW

頻率公差

f_— l

±15ppm

±30ppm

±50ppm

+25°C 對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.yaohuifushi.cn/

頻率溫度特征

f_tem

30 × 10-6,±50 × 10-6

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

16pF,20pF

不同負載要求,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/year Max.

+25°C,第一年

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HCM49S

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耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品.在下列回流條件下,對醫療產品晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息.

自動安裝時的沖擊:

石英晶振自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些產品.請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對SMD晶振特性產生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保石英晶振產品未撞擊機器或其他電路板等.

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作.

靜電

過高的靜電可能會損壞無源晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.

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