86-0755-27838351

頻率:5.000MHz~250.000MHz
尺寸:5.0*3.2*1.2mm
百利通亞陶晶振,高質量石英晶振,NX51SB振蕩器.普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產品本身具有高穩定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產品應用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
Diodes 公司為領先業界的高質量應用特定標準產品全球制造商與供貨商,產品涵蓋廣泛領域,包括獨立、邏輯、模擬及混合訊號半導體市場.Diodes環保晶振服務的市場包括消費性電子、計算機、通訊、工業及汽車市場.Diodes 的產品包括二極管、整流器、晶體管、MOSFET、保護裝置、特定功能數組、單閘極邏輯、放大器與比較器、霍爾效應與溫度傳感器、電源管理裝置 (包括 LED 驅動器)、AC-DC 轉換器與控制器、DC-DC 開關與線性穩壓器,以及電壓參考與特殊功能裝置 (例如 USB 電源開關、負載開關、電壓監控器及馬達控制器).
晶振的真空封裝技術:是指石英貼片晶振在真空封裝區域內進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.
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百利通亞陶晶振 |
NX51SB晶振 |
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輸出類型 |
CMOS |
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輸出負載 |
15pF |
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振蕩模式 |
基本/第三泛音 |
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電源電壓 |
+2.5V,+3.3V |
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頻率范圍 |
5.000MHz~250.000MHz |
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頻率穩定度 |
±20ppm,±50ppm |
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工作溫度 |
-40℃~+85℃ |
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保存溫度 |
-55℃~+125℃ |
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電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
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啟動時間 |
5 ms Max |
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相位抖動(12兆赫~20兆赫) |
1個PS最大 |
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老化率 |
±3 ppm /年最大 |
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容).
機械處理
當有源晶振發生外置撞擊時,任何石英有源晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致數碼電子晶振損壞,或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個強大的沖擊已經給振蕩器確保在使用前檢查其特點.
存儲事項
(1)在更高或更低溫度或高濕度環境下長時間保存進口高精密石英晶振產品時,會影響頻率穩定性或焊接性.請在正常溫度和濕度環境下保存這些晶體產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏.
正常溫度和濕度:溫度:+15°C至+35°C,濕度25%RH至85%RH(請參閱“測試點JISC60068-1/IEC60068-1的標準條件”章節內容).
(2)請仔細處理內外盒與卷帶.外部壓力會導致卷帶受到損壞.
自動安裝時的沖擊
自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些進口石英晶體振蕩器.請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至低,并確保在安裝前未對產品特性產生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保石英晶振未撞擊機器或其他電路板等.
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力,會導致汽車電子晶振特性受到損害或破壞.電路設計必須能夠維持適當的激勵功率(請參閱“激勵功率”章節內容).
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節內容).
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