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百利通亞陶晶振,石英晶體振蕩器,NX51SA晶振

頻率:5.000MHz~250.000MHz

尺寸:5.0*3.2*1.2mm

貼片式石英有源晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
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百利通亞陶晶振,石英晶體振蕩器,NX51SA晶振.有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

石英晶振產品電極的設計:石英晶振產品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波.第1、2、3項相對簡單,第4項的設計很關鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導致第4項的變化.特別是隨著SMD晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產品的影響的程度增大,故對電極的設計提出了更精準的要求.

Diodes 公司總部及美洲銷售辦公室位于美國德州普拉諾 (Plano) 與加州米爾皮塔斯 (Milpitas).設計、營銷與工程中心位于普拉諾、米爾皮塔斯、臺灣臺北;臺灣桃園市、臺灣竹北市、英國曼徹斯特及德國紐豪斯 (Neuhaus).Diodes 百利通亞陶晶振的晶圓生產設施位于密蘇里州堪薩斯市及曼徹斯特,另外在中國上海亦設有一座生產設施.Diodes 在中國上海、濟南、成都、揚州,以及香港、紐豪斯及臺北設有組裝與測試設施.另外在多個據點設有工程、銷售、倉儲及物流辦公室,包括臺北、香港、曼徹斯特、中國上海、深圳、南韓城南市以及德國慕尼黑,并于世界各地設有支持辦公室.該公司生產設施已達到 QS-9000、ISO-9001:2008、TS16949:2002 及 ISO 14001 認證的品質獎.Diodes 公司目前擁有 C-TPAT 認證.

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百利通亞陶晶振

NX51SA晶振

輸出類型

           CMOS

輸出負載

15pF

振蕩模式

基本/第三泛音

電源電壓

+2.5V,+3.3V

頻率范圍

5.000MHz~250.000MHz

頻率穩定度

±20ppm,±50ppm

工作溫度

-40℃~+85℃

保存溫度

-55℃~+125℃

電壓卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

啟動時間

5 ms Max

相位抖動(12兆赫~20兆赫)

1個PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

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NX51SA 5032 OSC

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激勵功率

在晶體單元上施加過多驅動力,會導致5032晶振特性受到損害或破壞.電路設計必須能夠維持適當的激勵功率(請參閱“激勵功率”章節內容).

負極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節內容).

負載電容

振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容).

機械處理

當有源晶振發生外置撞擊時,任何石英有源晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致數碼電子晶振損壞,或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個強大的沖擊已經給振蕩器確保在使用前檢查其特點.

存儲事項

(1)在更高或更低溫度或高濕度環境下長時間保存進口高質量石英晶振產品時,會影響頻率穩定性或焊接性.請在正常溫度和濕度環境下保存這些晶體產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏.

正常溫度和濕度:溫度:+15°C至+35°C,濕度25%RH至85%RH(請參閱“測試點JISC60068-1/IEC60068-1的標準條件”章節內容).

(2)請仔細處理內外盒與卷帶.外部壓力會導致卷帶受到損壞.

自動安裝時的沖擊

自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些進口石英晶體振蕩器.請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至低,并確保在安裝前未對產品特性產生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保石英晶振未撞擊機器或其他電路板等.

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