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康華爾電子成立至今已有20多年,是國內數(shù)一數(shù)二的晶振廠家0755-27838351,專業(yè)研發(fā)生產銷售石英晶振,32.768K晶振,石英晶體諧振器,貼片晶振,SAW濾波器等.采用無鉛環(huán)保材料生產,具有精度穩(wěn)定,小體積,重量輕等特點.國產晶振就選康華爾電子,質量好,精度高,價格優(yōu)勢.
康華爾電子多年來在競爭激烈的市場中,以技術占領市場,以質量贏得客戶,是國內口碑極高的晶振供應商.并且憑借自身的努力代理臺灣進口晶振多個品牌,TXC晶振,鴻星晶振,加高晶振,亞陶晶振等.康華爾電子所提供的臺產晶振,均符合德國ROHS環(huán)保指令,具有高質量,高可靠使用特性,咨詢選購熱線0755-27838351.
日本進口晶振在國內口碑一流,高端智能產品使用晶振大都會選擇日產晶振作為首選.康華爾電子憑借自身的努力同時代理KDS晶振,愛普生晶振,精工晶體,京瓷晶振等品牌.所代理石英晶振,石英晶體振蕩器,貼片晶體均符合歐盟ROHS環(huán)保要求,具有高精度,高品質,低插損,耐高溫等特點.
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32.768K是晶振頻率中最容易讓人記住的數(shù)字,32.768K晶振素來有時鐘晶振的稱謂,只要跟數(shù)字顯示以及時間相關的產品都少不了一款32.768K晶振.根據(jù)不同的產品需求主要分為圓柱晶振和32.768K貼片晶振.常見封裝有2x6,3x8,7.0x1.5,3.2x1.5,2.0x1.2等體積.康華爾電子提供各種32.768K晶振,音叉表晶,價格優(yōu)質,咨詢熱線0755-27838351.
有源晶振是一款自身帶有電源電壓功能的石英晶體振蕩器,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領域,符合RoHS/無鉛.
IBIS作為一項電子工業(yè)聯(lián)盟(EIA)指定的行為模型規(guī)范標準,是一種快速準確的建模方法,是反映芯片驅動和接收電氣特性的一種國際標準.非常適合做石英晶體振蕩器和串擾等高頻效應的計算與仿真。
然而,IBIS實際上不是“模型”,而是模擬器將使用的數(shù)據(jù)來基于某些算法創(chuàng)建設備的行為模型.IBIS行為模型有時被稱為“IBIS文件”或“IBIS數(shù)據(jù)表”.IBIS文件最常用于高速板或系統(tǒng)的信號完整性仿真.
IBIS模型旨在用于系統(tǒng)板上的信號完整性分析.這些模型允許系統(tǒng)設計人員模擬并因此預見連接不同低電壓有源晶振設備的傳輸線中的基本信號完整性問題.可以通過模擬分析的潛在問題包括由于線路中的阻抗不匹配而從到達接收器的波反射回貼片晶振驅動器的能量的程度;相聲;地面和電源反彈;超調;沖;和線路終端分析等.
例如,IBIS規(guī)范支持幾種類型的輸入和輸出,可以建模為三態(tài),開路集電極,漏極開路,I/O和ECL.第一步是識別設備上不同石英晶振類型的輸入和輸出,并確定存在多少緩沖設計.應該注意,一個模型可用于表示IBIS文件中的多個輸入或輸出.但是,如果C_Comp和包參數(shù)不同,則需要單獨的模型.
R_Pin,L_Pin和C_Pin是每個引腳到緩沖器連接的電阻,電感和電容的電氣特性.R_Pkg,L_Pkg和C_Pkg是整個包的集總值.對于C_Comp參數(shù),最大值列為最大值,最小值列為最小值.
IBIS模型配置了包裝的載荷和R/L/C值.Q-TechQT625的以下R/L/C如下所示：
這是硅芯片電容,不考慮封裝電容.這是從焊盤回到緩沖器時看到的電容.C_Comp是一個關鍵參數(shù),尤其適用于接收器輸入.C_Comp應該具有每個不同角點的值,min,typ和max.C_Comp的最大值將在最大角落之下,最小值將在最小角落之下.
簡單地描述,IBIS模型是從被建模的設備獲取的DC(電流對電壓)和瞬態(tài)(電壓對時間)數(shù)據(jù)的集合.可以通過實驗室測量或通過模擬2520貼片晶振設備的SPICE模型來收集該數(shù)據(jù).一旦創(chuàng)建,EDA工具就可以使用IBIS模型來創(chuàng)建該設備的行為模型.行為建模過程是EDA工具專有的,并且基于IBIS模型本身包含的信息.
要在IBIS內建模輸出緩沖器,DC和瞬態(tài)數(shù)據(jù)應包括上拉曲線,下拉曲線,上升波形和下降波形.一旦通過SPICE仿真收集了這些數(shù)據(jù),它將被格式化并包含在IBIS模型中,表示正在建模的輸出緩沖區(qū).上拉和下拉曲線由輸出緩沖器的I/V特性分別定義為完全處于邏輯高狀態(tài)和邏輯低狀態(tài).
上升和下降波形數(shù)據(jù)描述了輸出緩沖器的V/t特性.斜坡輸入激勵用于將輸出驅動為邏輯高電平,用于上升波形,并將邏輯低電平驅動為下降波形.在每種情況下,收集電壓與時間的數(shù)據(jù).
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